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    SQ1912EEH 参数 Datasheet PDF下载

    SQ1912EEH图片预览
    型号： SQ1912EEH
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 汽车双N沟道20 V （ DS ） 175 ℃的MOSFET [Automotive Dual N-Channel 20 V (D-S) 175 °C MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 12 页 / 1063 K
    品牌： SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
     浏览型号SQ1912EEH的Datasheet PDF文件第1页浏览型号SQ1912EEH的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SQ1912EEH的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SQ1912EEH的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SQ1912EEH的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SQ1912EEH的Datasheet PDF文件第7页浏览型号SQ1912EEH的Datasheet PDF文件第8页浏览型号SQ1912EEH的Datasheet PDF文件第9页  
    SQ1912EEH
    汽车双N沟道
    20 V （ D- S） 175℃ MOSFET
    典型特征
    （25℃ ，除非另有说明）
    200
    5
    V
    GS
    -
    栅极 - 源
    电压（V）的
    160
    Ç - 电容（pF ）
    4
    I
    D
    = 1.2 A
    V
    DS
    = 10 V
    120
    3
    80
    C
    国际空间站
    2
    40
    C
    RSS
    0
    0
    C
    OSS
    1
    4
    8
    12
    16
    V
    DS
    - 漏极至源极电压（ V）
    20
    0
    0.0
    0.5
    1.0
    1.5
    2.0
    Q
    g
    - 总
    门
    费（ NC ）
    2.5
    电容
    2.0
    R
    DS （ ON）
    - 导通电阻（标准化）
    I
    D
    = 1.13 A
    V
    GS
    = 4.5 V
    I
    S
    -
    来源
    电流（A ）
    栅极电荷
    10
    1.7
    1
    T
    J
    = 150
    °C
    1.4
    0.1
    T
    J
    = 25
    °C
    1.1
    0.01
    0.8
    0.5
    - 50 - 25
    0
    25
    50
    75 100 125
    T
    J
    - 结温（ ° C）
    150
    175
    0.001
    0.0
    0.2
    0.4
    0.6
    0.8
    1.0
    V
    SD
    -
    源极到漏极
    电压（V）的
    1.2
    导通电阻与结温
    源漏二极管正向电压
    1.5
    0.2
    1.2
    R
    DS （ ON）
    - 导通电阻（ Ω ）
    0.1
    V
    GS （ TH）
    方差（ V）
    0.0
    0.9
    - 0.1
    I
    D
    = 250 μA
    I
    D
    = 100 μA
    0.6
    T
    J
    = 150
    °C
    0.3
    T
    J
    = 25
    °C
    0.0
    0
    1
    2
    3
    4
    V
    GS
    -
    栅极 - 源
    电压（V）的
    5
    - 0.2
    - 0.3
    - 0.4
    - 50 - 25
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    175
    T
    J
    - 温度（℃ ）
    导通电阻与栅极至源极电压
    阈值电压
    4 / 12
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