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IRFB4110PBF 参数 Datasheet PDF下载

IRFB4110PBF图片预览
型号: IRFB4110PBF
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内容描述: ?? HEXFET功率MOSFET [HEXFETPower MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 662 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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IRFB4110PBF
1
D = 0.50
0.1
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
τ
J
R
1
R
1
τ
J
τ
1
τ
2
R
2
R
2
R
3
R
3
τ
C
τ
1
τ
2
τ
3
τ
3
τ
C
热响应(Z thJC )
0.01
0.001
CI-
τi / R
i
CI-
τi /日
RI( ° C / W)
0.09876251
0.2066697
0.09510464
τ
I(秒)
0.000111
0.001743
0.012269
单脉冲
(热反应)
注意事项:
1.占空比D = T1 / T2
2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝
0.0001
0.001
0.01
0.1
0.0001
1E-006
1E-005
T1 ,矩形脉冲持续时间(秒)
图13 。
最大有效瞬态热阻抗,结至外壳
1000
占空比=单脉冲
雪崩电流( A)
100
0.01
0.05
允许雪崩电流与雪崩
脉宽, TAV ,假设
Δ
环境温度为150 ℃,并
T开始= 25 ° C(单脉冲)
10
0.10
1
允许雪崩电流与雪崩
脉宽, TAV ,假设
ΔΤ
J = 25 ℃,并
T开始= 150℃。
0.1
1.0E-06
1.0E-05
1.0E-04
TAV (秒)
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
图14 。
典型的雪崩电流Vs.Pulsewidth
250
顶部
单脉冲
BOTTOM 1.0 %占空比
ID = 108A
EAR ,雪崩能量(兆焦耳)
200
150
100
50
对重复性雪崩曲线指出,图14 , 15 :
(有关详细信息,请参阅AN -1005在www.irf.com )
1.雪崩失效的假设:
纯粹的热现象而发生故障时,在远的温度
多余的T
JMAX
。这验证了每一部分的类型。
在雪崩2.安全操作是允许的,只要AST
JMAX
不超标。
下面3.方程基于电路和在图16a所示的波形, 16b中。
4. P
D( AVE )
=每单脉冲雪崩平均功耗。
5. BV =额定击穿电压( 1.3系数占电压升高
在雪崩) 。
6. I
av
=允许雪崩电流。
7.
ΔT
=
允许上升的结温,不超过牛逼
JMAX
(假定为
25℃下在图14中, 15)。
t
AV =
平均时间在雪崩。
D =占空比雪崩= T
av
·f
Z
thJC
( D,T
av
) =瞬态热阻,参见图13 )
175
0
25
50
75
100
125
150
开始TJ ,结温( ° C)
P
D( AVE )
= 1/2( 1.3 BV · ·我
av
) =
DT /
Z
thJC
I
av
= 2DT / [1.3 BV · · ž
th
]
E
AS ( AR )
= P
D( AVE )
·t
av
图15 。
最大雪崩能量比。温度
5/8
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