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IRFB4110PBF 参数 Datasheet PDF下载

IRFB4110PBF图片预览
型号: IRFB4110PBF
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内容描述: ?? HEXFET功率MOSFET [HEXFETPower MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 662 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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IRFB4110PBF
静态@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
符号
V
( BR ) DSS
ΔV
( BR ) DSS
/ΔT
J
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
I
DSS
I
GSS
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
分钟。典型值。马克斯。单位
100
–––
–––
2.0
–––
–––
–––
–––
––– –––
0.108 –––
3.7
4.5
–––
4.0
–––
20
––– 250
––– 100
––– -100
条件
V V
GS
= 0V时,我
D
= 250μA
V / ℃参考至25℃ ,我
D
= 5毫安
毫欧V
GS
= 10V ,我
D
= 75A
V V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
μA
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V ,T
J
= 125°C
nA的V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
g
d
动态@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
符号
政府飞行服务队
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
G
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
EFF 。 ( ER)的
C
OSS
EFF 。 ( TR)的
参数
正向跨导
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极( "Miller" )充电
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。典型值。马克斯。单位
160
–––
–––
–––
–––
条件
V
DS
= 50V ,我
D
= 75A
I
D
= 75A
V
DS
= 50V
V
GS
= 10V
–––
150
35
43
1.3
25
67
78
88
9620
670
250
820
950
–––
210
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
S
nC
g
Ω
有效的输出电容(能源相关)
有效的输出电容(时间相关)
h
i
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
ns
pF
V
DD
= 65V
I
D
= 75A
R
G
= 2.6Ω
V
GS
= 10V
V
GS
= 0V
V
DS
= 50V
ƒ = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至80V
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至80V
g
j
h
D
二极管的特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
on
参数
连续源电流
(体二极管)
脉冲源电流
(体二极管)
二极管的正向电压
反向恢复时间
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
––– 170
–––
™
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
G
S
A
-dI
670
反向恢复电荷
反向恢复电流
向前开启时间
––– –––
1.3
V
–––
50
75
ns
–––
60
90
–––
94
140
nC
T
J
= 125°C
––– 140 210
–––
3.5
–––
一件T
J
= 25°C
固有的导通时间是可以忽略的(导通通过LS为主+ LD)的
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C,I
S
= 75A ,V
GS
= 0V
T
J
= 25°C
V
R
= 85V,
T
J
= 125°C
I
F
= 75A
的di / dt = 100A / μs的
T
J
= 25°C
g
g
注意事项:

基于最大允许结计算的连续电流
温度。键合线限流是120A 。需要注意的是电流
从可能发生的设备引线加热所产生的局限性
一些导致安装布置。
‚
重复评价;脉冲宽度有限的最大值。连接点
温度。
ƒ
限制T
JMAX
,起始物为
J
= 25℃时,L = 0.033mH
R
G
= 25Ω, I
AS
= 108A ,V
GS
= 10V 。部分不推荐使用
高于此值。
„
I
SD
75A , di / dt的
630A / μs的,V
DD
V
( BR ) DSS
, T
J
175°C.
…
脉冲宽度
400μS ;占空比
2%.
†
C
OSS
EFF 。 (TR)是一个固定的电容,赋予相同的充电时间
为C
OSS
而V
DS
上升,从0至80 %的V
DSS
.
‡
C
OSS
EFF 。 (ER)是一种固定电容,赋予相同的能量
C
OSS
而V
DS
上升,从0至80 %的V
DSS
.
ˆ
当安装在1"正方形板( FR-4或G- 10材料) 。对于RECOM
谁料足迹和焊接技术是指应用笔记# AN- 994 。
‰
R
θ
测定在T
J
大约90℃。
2/8
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