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IRFB4110PBF 参数 Datasheet PDF下载

IRFB4110PBF图片预览
型号: IRFB4110PBF
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内容描述: ?? HEXFET功率MOSFET [HEXFETPower MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 662 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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IRFB4110PBF
1000
10000
1000
100
100μsec
10
1
0.1
0.01
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
0.1
1
10
100
1000
VSD ,源极到漏极电压(V )
VDS ,漏极至源极电压( V)
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
DC
1msec
10msec
在这一领域
限于由R DS ( ON)
100
T J = 175℃
T J = 25°C
ID ,漏极 - 源极电流(A )
ISD ,反向漏电流( A)
10
1
VGS = 0V
0.1
图7 。
典型的源漏二极管正向电压
180
160
140
ID ,漏电流( A)
图8 。
最大安全工作区
V( BR ) DSS ,漏极至源极击穿电压( V)
125
ID = 5毫安
120
115
110
105
100
95
90
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180
T J ,温度(° C)
不限按包
120
100
80
60
40
20
0
25
50
75
100
125
150
175
TC ,外壳温度( ° C)
图9 。
最大漏极电流与外壳温度
5.0
4.5
4.0
3.5
图10 。
漏极至源极击穿电压
800
EAS ,单脉冲雪崩能量(兆焦耳)
700
600
500
400
300
200
100
0
ID
顶部
17A
27A
BOTTOM 108A
能量( μJ )
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0
20
40
60
80
100
120
25
50
75
100
125
150
175
VDS ,漏极至源极电压( V)
开始TJ ,结温( ° C)
图11 。
典型的C
OSS
储能
图12 。
最大雪崩能量对比DrainCurrent
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