AOT298L/AOB298L/AOTF298L
100V N沟道MOSFET
典型的电气和热特性
1000.0
100.0
I
D
（安培）
10.0
1.0
0.1
0.0
0.01
0.1
1
10
V
DS
（伏）
100
1000
800
10µs
功率（W）的
R
DS （ ON）
有限
DC
600
T
J（下最大）
=175°C
T
C
=25°C
100µs
1ms
10ms
T
J（下最大）
=175°C
T
C
=25°C
400
200
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度（S ）
图13 ：单脉冲功率额定值结对案例
17
AOTF298L （注F）
图12 ：最大正向偏置
对于AOTF298L安全工作区
（注六）
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
Ĵ ，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=4.5°C/W
1
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
5
2
10
0
18
0.1
P
D
T
on
单脉冲
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
脉冲宽度（S ）
图14： AOTF298L归最大瞬态热阻抗（注F）
0.1
1
T
40
10
100
50
40
40
额定电流我
D
(A)
功耗（ W）
30
30
20
20
10
10
0
0
100
125
150
T
例
(°C)
°
图15 ：电流降评级AOTF298
F)
25
50
75
175
（注
0
100
125
150
T
例
(°C)
°
图16 ：电源德评级AOTF298L
F)
25
50
75
175
（注
0
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