AOT298L/AOB298L/AOTF298L
100V N沟道MOSFET
典型的电气和热特性
10
V
DS
=50V
I
D
=20A
8
电容(pF)
1600
C
国际空间站
V
GS
(伏)
6
1200
2000
4
800
C
OSS
400
C
RSS
2
0
0
8
12
16
Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
4
20
0
0
40
60
80
V
DS
(伏)
图8 :电容特性
20
100
1000.0
100.0
I
D
(安培)
10.0
1.0
0.1
0.0
0.01
1
10
100
1000
V
DS
(伏)
图9 :最大正向偏置安全工作
对于AOT298L和AOB298L区
(注六)
0.1
10µs
10µs
功率(W)的
800
T
J(下最大)
=175°C
T
C
=25°C
600
R
DS ( ON)
有限
DC
100µs
1ms
10ms
400
17
5
2
10
T
J(下最大)
=175°C
T
C
=25°C
200
0
0.0001
0
脉冲宽度(S )
18
图10 :单脉冲功率额定值结到外壳
对于AOT298L和AOB298L (注F)
0.001
0.01
0.1
1
10
100
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
Ĵ ,PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
1
R
θJC
=1.5°C/W
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
40
0.1
P
D
0.01
T
on
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度(S )
图11: AOT298L和AOB298L归最大瞬态热阻抗(注F)
T
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