AOT298L/AOB298L/AOTF298L
100V N沟道MOSFET
概述
该AOT298L & AOB298L & AOTF298L采用沟道MOSFET技术，具有独特的优化，以提供
最有效的高频开关性能。功率损失是由于最小化，以极低的
的R组合
DS （ ON）
和C
RSS
。此外，切换行为控制良好的软恢复身体
diode.This器件理想用于升压转换器和同步整流器的消费，电信，工业
电源和LED背光。
特点
V
DS
I
D
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=10V)
100V
58A/33A
< 14.5mΩ
D
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ，除非另有说明
C
参数
符号
AOT298L/AOB298L
V
DS
漏源电压
100
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
连续漏极
当前
雪崩电流
C
雪崩能量L = 0.1mH
功耗
功耗
B
C
C
AOTF298L
单位
V
V
V
GS
T
C
=25°
C
T
C
=100°
C
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
I
D
I
DM
I
帝斯曼
I
AS
, I
AR
E
AS
, E
AR
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
100
50
T
C
=25°
C
T
C
=100°
C
T
A
=25°
C
C
T
A
=70°
58
41
±20
33
26
130
9
7
20
20
33
16
2.1
1.33
-55至175
A
A
A
mJ
W
W
°
C
A
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
最大结到外壳
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
AOT298L/AOB298L
15
60
1.5
AOTF298L
15
60
4.5
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
1/7
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SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
