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AON5820 参数 Datasheet PDF下载

AON5820图片预览
型号: AON5820
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内容描述: 20V共漏极双N沟道MOSFET [20V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 297 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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AON5820
典型的电气和热特性
10
V
DS
=10V
I
D
=10A
8
电容(pF)
1600
C
国际空间站
V
GS
(伏)
6
1200
2000
4
800
C
OSS
400
C
RSS
2
0
0
15
20
25
Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
5
10
30
0
0
10
15
V
DS
(伏)
图8 :电容特性
5
20
1000.0
100.0
10µs
200
160
T
J(下最大)
=150°C
T
C
=25°C
R
DS ( ON)
I
D
(安培)
10.0
1.0
0.1
0.0
0.01
0.1
1
V
DS
(伏)
10
10µs
功率(W)的
100µs
1ms
10ms
120
80
40
0
DC
T
J(下最大)
=150°C
T
C
=25°C
17
5
2
10
100
0.0001
图9 :最大正向偏置安全
工作区(注F)
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
Ĵ ,PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=5.5°C/W
1
0
脉冲宽度(S )
18
图10 :单脉冲功率额定值结到外壳
(注六)
0.001
0.01
0.1
1
10
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
40
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
0.01
1E-05
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗(注F)
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