AON5820 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AON5820
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内容描述：	20V共漏极双N沟道MOSFET [20V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	6 页 / 297 K
品牌：	SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]

AON5820

20V共漏极双N沟道MOSFET

概述

该AON5820采用先进的沟槽技术，提供优秀的研发

DS （ON ），

低栅极电荷和操作

与栅极电压可低至2.5V ，同时保留了12V V

GS （ MAX）

评级，这是ESD保护。此设备是suitabl ê

用作单向或双向负荷开关，通过它的共漏极组态容易。

产品概述

（在V

=4.5V)

DS （ ON）

（在V

=4.5V)

DS （ ON）

（在V

=4.0V)

DS （ ON）

（在V

=3.5V)

DS （ ON）

（在V

=3.1V)

DS （ ON）

（在V

=2.5V)

典型的ESD保护

20V

10A

< 9.5mΩ

<为10mΩ

< 10.5mΩ

< 11.5mΩ

< 13mΩ

HBM等级2

绝对最大额定值牛逼

= 25° ，除非另有说明

参数

符号

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

漏电流脉冲

=25°

功耗

最大

±12

1.7

-55到150

单位

=25°

=70°

帝斯曼

, T

英镑

结温和存储温度范围

热特性

参数

最大结点到环境

A D

最大结到外壳

符号

≤

10s

稳态

θJA

θJC

典型值

4.5

最大

5.5

单位

C / W

1/6

www.freescale.net.cn

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