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AON5820 参数 Datasheet PDF下载

AON5820图片预览
型号: AON5820
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内容描述: 20V共漏极双N沟道MOSFET [20V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 297 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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AON5820
电气特性(T
J
= 25℃除非另有说明)
C
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ,V
GS
=0V
V
DS
=20V, V
GS
=0V
C
T
J
=55°
V
DS
=0V, V
GS
=±10V
V
DS
=V
GS ,
I
D
=250µA
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
= 4.5V ,我
D
=10A
C
T
J
=125°
R
DS ( ON)
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.0V ,我
D
=10A
V
GS
= 3.5V ,我
D
=9A
V
GS
= 3.1V ,我
D
=9A
V
GS
= 2.5V ,我
D
=8A
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ,我
D
=10A
I
S
=1A,V
GS
=0V
0.3
85
5.5
8
5.8
6
6.3
6.8
7.4
11
7.6
8
8.3
9.2
65
0.58
1
2.5
1000
V
GS
=0V, V
DS
= 10V , F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1MHz的
10
V
GS
=4.5V, V
DS
= 10V ,我
D
=10A
150
100
1255
220
168
2.5
12.5
5.5
6.5
1.1
V
GS
=4.5V, V
DS
= 10V ,R
L
=1Ω,
R
=3Ω
I
F
= 10A ,的di / dt = 500A / μs的
8.5
12
2.6
7
7.4
11
15
13.5
18
15
1510
290
235
9.5
14
10
10.5
11.5
13
0.65
20
1
5
10
1.0
典型值
最大
单位
V
µA
µA
V
A
mΩ
mΩ
mΩ
mΩ
mΩ
S
V
A
pF
pF
pF
KΩ
nC
nC
nC
µs
µs
µs
µs
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
I
D(上)
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
最大体二极管连续电流
动力参数
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 10A ,的di / dt = 500A / μs的
的R A的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
功耗P
帝斯曼
是基于R
θJA
和150℃的最大允许结温。在任何给定应用程序中的值取决于
用户的特定电路板设计。
B.功耗P
D
是以T
J(下最大)
= 150℃,使用结到外壳的热阻,并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C.重复评级,脉冲宽度有限的结温度T
J(下最大)
= 150℃。额定值基于低频和占空比,以保持
初始的T
J
=25°C.
D.第r
θJA
是热阻抗的结到外壳R上的总和
θJC
和外壳到环境。
E.图的静态特性1 〜6使用<300μs脉冲占空比0.5 %最大的获得。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗,假设
T的最高结温
J(下最大)
= 150℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
G.最大额定电流是有限的包。
H.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
=25°C.
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