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型号: AOC2802
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内容描述: 常见的漏双N沟道增强型场效应晶体管 [Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 358 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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AOC2802
常见的漏双N沟道增强
型场效应晶体管
测试电路1 ISSS
正Vss电压+ ISSS
负VSS FOR ISSS-
S2
测试电路2 Igss1,2
正VGS FOR IGSS1 +
负VGS FOR IGSS1-
当FET1测量
G2
S2
A
D2
D1
VSS
栅极和源极之间
FET2的短路
G2
D2
D1
G1
G1
A
S1
VG
S1
检测电路3的Vgs
(
关闭
)
S2
当FET1测量
栅极和源极之间
FET2的短路
G2
测试电路4 RSS
(
on
)
S2
VSS /是
A
D2
D1
VSS
G2
Is
D2
D1
G1
G1
V
VSS
VGS
S1
VGS
S1
测试电路5 V
F(SS)1,2
S2
4.5V
测试电路6 BV
DSS
正Vss电压+ ISSS
负VSS FOR ISSS-
S2
当FET1测
FET2 VGS = 4.5V
G2
I
F
D2
D1
G2
Is
D2
D1
G1
V
VSS
G1
V
VGS=0
S1
S1
测试电路7 BV
GSO1,2
正Vss电压+ ISSS
负VSS FOR ISSS-
当FET1测量
栅极和源极之间
FET2的短路
G2
S2
D2
D1
G1
V
I
G
S1
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