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    AOC2802 参数 Datasheet PDF下载

    AOC2802图片预览
    型号： AOC2802
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 常见的漏双N沟道增强型场效应晶体管 [Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管场效应晶体管
    文件页数/大小： 5 页 / 358 K
    品牌： SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
     浏览型号AOC2802的Datasheet PDF文件第1页浏览型号AOC2802的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AOC2802的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AOC2802的Datasheet PDF文件第5页  
    AOC2802
    常见的漏双N沟道增强
    型场效应晶体管
    典型的电气和热特性
    60
    4V
    50
    40
    I
    S
    (A)
    30
    20
    10
    0
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    V
    SS
    （伏）
    图1 ：在区域特征
    65
    归一化的导通电阻
    60
    55
    R
    SS （ON）的
    (mΩ)
    Ω
    50
    45
    40
    35
    30
    25
    0
    5
    10
    15
    20
    I
    S
    (A)
    图3 ：导通电阻与漏电流和
    栅极电压
    V
    GS
    =3.1V
    V
    GS
    =4V
    V
    GS
    =2.5V
    V
    GS
    =2V
    4
    75°C
    25°
    0
    0.5
    0.75
    1
    1.25
    1.5
    1.75
    2
    2.25
    V
    GS
    （伏）
    图2 ：传输特性
    2.5V
    3V
    12
    I
    S
    (A)
    4.5V
    3.5V
    16
    V
    SS
    =5V
    20
    8
    125°C
    -
    1.6
    V
    GS
    =4.5V
    1.4
    V
    GS
    =2.5V
    1.2
    V
    GS
    =4V
    V
    GS
    =3.1V
    1
    V
    GS
    =4.5V
    0.8
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    175
    温度（℃）
    图4 ：导通电阻与结温
    100
    90
    80
    R
    SS （ON）的
    (mΩ)
    Ω
    70
    I
    S
    (A)
    I
    S
    =3A
    1.0E+01
    1.0E+00
    1.0E-01
    125°C
    1.0E-02
    1.0E-03
    1.0E-04
    25°C
    1.0E-05
    -25°C
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    12
    1.0E-06
    0.0
    0.5
    1.0
    1.5
    2.0
    V
    SS
    （伏）
    图6 ：体二极管的性能
    75°C
    25°C
    125°C
    注2 。
    60
    <300
    µs
    脉冲占空比0.5％以下
    PW
    50
    40
    30
    20
    10
    V
    GS
    （伏）
    图5 ：导通电阻与栅源电压
    3/5
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