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型号: AOC2802
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内容描述: 常见的漏双N沟道增强型场效应晶体管 [Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 358 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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AOC2802
常见的漏双N沟道增强
型场效应晶体管
概述
该AOC2802采用先进的沟槽技术,提供优秀的研发
SS (ON)的
,低栅极电荷和操作门
电压可低至2.5V ,同时保留了12V V
GS ( MAX)
rating.It ESD保护。此装置适合于用作单向
定向或双向负荷开关, facilita
泰德其
共漏配置。
特点
VSS
I
D
(在V
GS
=4.5V)
R
SS (ON)的
(在V
GS
=4.5V)
R
SS (ON)的
(在V
GS
=4.0V)
R
SS (ON)的
(在V
GS
=3.1V)
R
SS (ON)的
(在V
GS
=2.5V)
20V
6A
< 34mΩ
< 35mΩ
< 43mΩ
< 54mΩ
WLCSP 1.57x1.57_4
底部视图
顶视图
D1
等效电路
D2
G2
S2
G1
S1
Pin1(S1)
G1
G2
S1
S2
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ,除非另有说明
C
参数
符号
V
SS
来源源电压
栅源电压
源电流( DC)的
Note1
源电流(脉冲)
Note2
功耗
Note1
最大
20
±12
6
60
1.3
-55到150
单位
V
V
A
W
°
C
V
GS
T
A
=25°
C
I
S
I
SM
P
D
T
J
, T
英镑
T
A
=25°
C
结温和存储温度范围
注: 1 。
安装在最小的PCB焊盘
注2 。
PW <300
µs
脉冲占空比0.5%以下
1/5
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