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AO6604 参数 Datasheet PDF下载

AO6604图片预览
型号: AO6604
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内容描述: 氮磷通道20 -V ( DS ) MOSFET高性能沟道技术 [N & P-Channel 20-V (D-S) MOSFET High performance trench technology]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 465 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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飞思卡尔
AO6 6 04 / MC6 6 04
典型电气特性( N沟道)
100
0.22
T
A
= 125 C
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
SD ,
- 源极到漏极电压(V )
25
o
C
o
r
DS ( ON)
- 导通电阻( OHM )
10
I
S
- 源电流( A)
0.18
0.14
0.1
0.06
0.02
1
2
3
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
4
5
源极 - 漏极二极管正向电压
1.2
I
D
= 250
µ
A
1.1
V
GS ( TH)
,方差( V)
1
功率(W)的
0.9
0.8
0.7
0.6
2
0.5
0.4
-50
-25
0
25
50
o
导通电阻vs.Gate至源极电压
10
8
6
4
0
75
100
125
150
0.01
0.1
1
时间(秒)
10
100
1000
T
J
- 温度(℃ )
阈值电压
1
D = 0.5
单脉冲功率
R
θJA
(吨) = R(T) + R
θJA
Normailized有效的瞬态热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
R
θJA
= 130
o
C / W
0.02
0.01
P( PK)
T
J
- T
A
= P * R
θJA
(t)
占空比D = T
1
/ t
2
t
1
t
2
0.01
单脉冲
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
方波脉冲持续时间(秒)
归瞬态热阻抗,结到环境
4
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