飞思卡尔
这些微型表面贴装MOSFET的
利用高密度沟槽工艺
提供低R
DS ( ON)
并且,以确保最小的
功率损耗和散热。典型
应用的DC- DC转换器和
功率管理在便携式和
电池供电的产品如
计算机,打印机,PCMCIA卡,
蜂窝和无绳电话。
•
•
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•
低R
DS ( ON)
提供了更高的效率和
延长电池寿命
低热阻抗的铜引线框架
TSOP - 6可节省电路板空间
开关速度快
高性能沟道技术
G1
S2
G2
AO6 6 04 / MC6 6 04
V
DS
(V)
20
r
DS ( ON)
( )
0.058 @ V
GS
= 4.5V
0.082 @ V
GS
= 2.5V
0.160 @ V
GS
= 1.8V
0.112 @ V
GS
= -4.5V
0.172 @ V
GS
= -2.5V
0.210 @ V
GS
= -1.8V
D
1
D1
S1
D2
G
2
D
2
P沟道MOSFET
ñ & P通道20 -V (D -S )的MOSFET
产品概述
I
D
(A)
3.7
3.1
2.2
-2.7
-2.2
-2.0
S
2
-20
TSOP-6
顶视图
1
2
3
6
5
4
G
1
S
1
N沟道MOSFET
绝对最大额定值(T
A
= 25°C除非另有说明)
参数
符号N - CHANNE升P- CHANNE升单位
V
DS
20
-20
漏源电压
V
V
GS
±12
±12
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
b
a
o
o
a
o
T
A
=25 C
T
A
=70 C
o
o
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
3.7
2.9
8
1.05
1.15
0.7
-2.7
-2.1
-8
-1.05
A
W
o
A
连续源电流(二极管传导)
功耗
a
T
A
=25 C
T
A
=70 C
工作结存储温度范围
-55到150
C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
符号
吨< = 10秒
稳定状态
R
thJA
N沟道
典型值
最大
93
130
110
150
P沟道
典型值
最大
93
130
110
150
单位
o
C / W
笔记
a.
表面装在1 “×1” FR4板。
b.
脉冲宽度有限的最高结温
1
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