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AO6604 参数 Datasheet PDF下载

AO6604图片预览
型号: AO6604
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内容描述: 氮磷通道20 -V ( DS ) MOSFET高性能沟道技术 [N & P-Channel 20-V (D-S) MOSFET High performance trench technology]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 465 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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飞思卡尔
AO6 6 04 / MC6 6 04
典型电气特性( N沟道)
12
V
GS
= 4.5V
10
I
D
- 漏电流( A)
8
6
4
2
0
0
1
2
3
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
2.0V
2.5V
8
I
D
- 漏电流( A)
125 C
6
o
10
T
A
= -55
o
C
25
o
C
4
2
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
输出特性
传输特性
2
r
DS ( ON)
- 归一导通电阻
1.8
450
400
C
国际空间站
350
Ç - 电容(pF )
300
250
200
150
100
50
0
0
2
4
6
I
D
- 漏电流( A)
8
10
12
0
5
10
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
15
20
C
RSS
C
OSS
1.6
1.4
2.5V
1.2
4.5V
1
0.8
导通电阻与漏电流
电容
10
r
DS ( ON)
- 导通电阻(标准化)
1.6
V
GS
= 4.5V
1.4
8
Vgs的电压(V)
6
1.2
4
1
2
0.8
0
0
2
4
Q克,门ç哈耶( NC)
6
8
0.6
-50
-25
0
25
50
75
o
100
125
150
T
J
- 结式温( C)
栅极电荷
导通电阻与结温
3
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