TK4P60DB 参数 Datasheet PDF下载

型号：	TK4P60DB
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内容描述：	硅N沟道MOS型（I ?? - 莫萨？ \| ） [Silicon N Channel MOS Type (Ï-MOSâ¦)]
分类和应用：
文件页数/大小：	5 页 / 310 K
品牌：	SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]

– t

Normalized transient thermal impedance

th (t)

th (ch-c)

Duty=0.5

0.2

0.1

0.1 0.05

SINGLE PULSE

PDM

0.02 0.01

0.01

10μ

100μ

10m

100m

Duty

t/T

Rth (ch-c)

1.56 °C/W

Pulse width

(s)

SAFE OPERATING AREA

100

200

– T

ID max (pulsed)

ID max (continuous)

100

μs

(mJ)

Avalanche energy

160

120

Drain current I

(A)

DC operation

25°C

1 ms

0.1

0.01

VDSS max

Single pulse Tc=25℃

Curves must be derated

linearly with increase in

temperature.

0.001

100

125

150

Channel temperature (initial)

(°C)

1000

15 V

VDSS

Drain-source voltage

(V)

Test circuit

90 V, L

18.7 mH

Waveform

⎞

⎛

B VDSS

⎟

⋅

⋅ ⎜

⎜

−

VDD

⎟

⎠

⎝

VDSS

5/5

www.freescale.net.cn

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