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MC6601 参数 Datasheet PDF下载

MC6601图片预览
型号: MC6601
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内容描述: 氮磷通道32 -V ( DS ) MOSFET高性能沟道技术 [N & P-Channel 32-V (D-S) MOSFET High performance trench technology]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 517 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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Freescale
AO6601 / MC6601
Typical Electrical Characteristics (N-Channel)
10
0.2
r
DS(ON)
- On-Resistance (OHM)
I
S
- Source CURRENT (A
1
T
A
= 125
o
C
0.1
25
o
C
0.15
0.1
0.05
0.01
0
2
4
6
V
GS
- Gate-to-Source Voltage (V)
8
10
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
V
SD
- Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
1.5
I
D
= 250
µ
A
1.3
V
GS(th)
Variance(V)
20
Power (W)
30
On-Resistance vs.Gate-to Source Voltage
1.1
0.9
10
0.7
0
0.5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- Temperature (
o
C)
0.01
0.1
1
Time (sec)
10
100
1
Normalized Effective Transient Thermal
Threshold Voltage
D =0.5
Single Pulse Power
0.2
R
θJA
(t) = r(t) * R
θJA
R
θJA
= 125 °C/W
0.1
Impedance
0.1
0.05
P(pk
0.02
0.01
t
1
t
2
T
J
- T
A
= P *
R
θJA
(t)
Duty Cycle, D = t
1
/t
0.01
SINGLE PULSE
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Square Wave Pulse Duration (sec)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
4
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