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    K9XXG16UXM-Y 参数 Datasheet PDF下载

    K9XXG16UXM-Y图片预览
    型号： K9XXG16UXM-Y
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    内容描述： 256M ×8位/ 128M x 16位NAND闪存 [256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory]
    分类和应用： 闪存
    文件页数/大小： 39 页 / 679 K
    品牌： SAMSUNG [ SAMSUNG ]
     浏览型号K9XXG16UXM-Y的Datasheet PDF文件第16页浏览型号K9XXG16UXM-Y的Datasheet PDF文件第17页浏览型号K9XXG16UXM-Y的Datasheet PDF文件第18页浏览型号K9XXG16UXM-Y的Datasheet PDF文件第19页浏览型号K9XXG16UXM-Y的Datasheet PDF文件第21页浏览型号K9XXG16UXM-Y的Datasheet PDF文件第22页浏览型号K9XXG16UXM-Y的Datasheet PDF文件第23页浏览型号K9XXG16UXM-Y的Datasheet PDF文件第24页  
    K9W4G08U1M  
    K9K2G08Q0M  
    K9K2G08U0M  
    K9W4G16U1M  
    K9K2G16Q0M  
    K9K2G16U0M  
    FLASH MEMORY  
    Input Data Latch Cycle  
    tCLH  
    CLE  
    tCH  
    CE  
    tWC  
    tALS  
    ALE  
    tWP  
    tWP  
    tWP  
    WE  
    tWH  
    tDH  
    tDH  
    tDH  
    tDS  
    tDS  
    tDS  
    I/Ox  
    DIN final*  
    DIN 0  
    DIN 1  
    NOTES : DIN final means 2112(X8) or 1056(X16)  
    Serial Access Cycle after Read(CLE=L, WE=H, ALE=L)  
    tCEA  
    CE  
    tCHZ*  
    tOH  
    tREH  
    tREA  
    tREA  
    tREA  
    RE  
    tRHZ*  
    tRHZ*  
    tOH  
    I/Ox  
    Dout  
    Dout  
    Dout  
    tRC  
    tRR  
    R/B  
    NOTES : Transition is measured ±200mV from steady state voltage with load.  
    This parameter is sampled and not 100% tested.  
    20  

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