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K9F5608D0C 参数 Datasheet PDF下载

K9F5608D0C图片预览
型号: K9F5608D0C
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内容描述: 32M ×8位, 16M x 16位NAND闪存 [32M x 8 Bit , 16M x 16 Bit NAND Flash Memory]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 42 页 / 679 K
品牌: SAMSUNG [ SAMSUNG ]
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K9F5608Q0C  
K9F5608D0C  
K9F5608U0C  
K9F5616Q0C  
K9F5616D0C  
K9F5616U0C  
FLASH MEMORY  
Figure 9. Read2 Operation  
CLE  
On K9F5608U0C_Y,P,V,F or K9F5608D0C_Y,P  
CE must be held  
low during tR  
CE  
WE  
ALE  
R/B  
tR  
RE  
Start Add.(3Cycle)  
I/Ox  
50h  
Data Output(Sequential)  
Spare Field  
X8 device : A0 ~ A3 & A9 ~ A24  
X16 device : A0 ~ A2 & A9 ~ A24  
X8 device : A4 ~ A7 Don’t care  
X16 device : A3 ~ A7 are "L"  
Main array  
Data Field  
Spare Field  
Figure 8-1. Sequential Row Read1 Operation (only for K9F5608U0C_Y,P,V,F or K9F5608D0C_Y,P)  
tR  
tR  
tR  
R/B  
I/Ox  
Data Output  
1st  
Data Output  
Data Output  
00h  
01h  
Start Add.(3Cycle)  
A0 ~ A7 & A9 ~ A24  
2nd  
(528 Byte)  
Nth  
(528 Byte)  
(00h Command)  
(01h Command)  
1st half array  
2nd half array  
1st half array  
2nd half array  
1st  
1st  
2nd  
Nth  
Block  
2nd  
Nth  
Data Field  
Spare Field  
Data Field  
Spare Field  
30  
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