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    K4S561632E-UC60 参数 Datasheet PDF下载

    K4S561632E-UC60图片预览
    型号： K4S561632E-UC60
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 256Mb的电子芯片SDRAM规格54 TSOP- II与无铅（符合RoHS标准） [256Mb E-die SDRAM Specification 54 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)]
    分类和应用： 电子动态存储器
    文件页数/大小： 14 页 / 200 K
    品牌： SAMSUNG [ SAMSUNG ]
     浏览型号K4S561632E-UC60的Datasheet PDF文件第1页浏览型号K4S561632E-UC60的Datasheet PDF文件第2页浏览型号K4S561632E-UC60的Datasheet PDF文件第3页浏览型号K4S561632E-UC60的Datasheet PDF文件第4页浏览型号K4S561632E-UC60的Datasheet PDF文件第6页浏览型号K4S561632E-UC60的Datasheet PDF文件第7页浏览型号K4S561632E-UC60的Datasheet PDF文件第8页浏览型号K4S561632E-UC60的Datasheet PDF文件第9页  
    CMOS SDRAM  
    SDRAM 256Mb E-die (x4, x8, x16)  
    FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
    LWE  
    Data Input Register  
    LDQM  
    Bank Select  
    16M x 4 / 8M x 8 / 4M x 16  
    16M x 4 / 8M x 8 / 4M x 16  
    16M x 4 / 8M x 8 / 4M x 16  
    16M x 4 / 8M x 8 / 4M x 16  
    DQi  
    CLK  
    ADD  
    Column Decoder  
    Latency & Burst Length  
    LCKE  
    Programming Register  
    LWCBR  
    LRAS  
    LCBR  
    LWE  
    LCAS  
    LDQM  
    Timing Register  
    CLK  
    CKE  
    CS  
    RAS  
    CAS  
    WE  
    L(U)DQM  
    * Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.  
    Rev. 1.3 August 2004  

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