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K4H561638D-GCB0 参数 Datasheet PDF下载

K4H561638D-GCB0图片预览
型号: K4H561638D-GCB0
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内容描述: DDR 256Mb的 [DDR 256Mb]
分类和应用: 双倍数据速率
文件页数/大小: 26 页 / 291 K
品牌: SAMSUNG [ SAMSUNG ]
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K4H560838D  
DDR SDRAM  
AC Operating Test Conditions  
(VDD=2.5V, VDDQ=2.5V, TA= 0 to 70°C)  
Parameter  
Input reference voltage for Clock  
Input signal maximum peak swing  
Input signal minimum slew rate (for imput only)  
Input slew rate (I/O pins)  
Value  
Unit  
V
Note  
0.5 * VDDQ  
1.5  
V
0.5  
V/ns  
V/ns  
V
0.5  
VREF+0.31/VREF-0.31  
VREF  
Input Levels(VIH/VIL)  
Input timing measurement reference level  
Output timing measurement reference level  
Output load condition  
V
Vtt  
V
See Load Circuit  
Vtt=0.5*VDDQ  
RT=50Ω  
Output  
Z0=50Ω  
CLOAD=30pF  
VREF  
=0.5*VDDQ  
Output Load Circuit (SSTL_2)  
Input/Output Capacitance  
(VDD=2.5, VDDQ=2.5V, TA= 25°C, f=1MHz)  
Parameter  
Symbol  
Min  
Max  
Delta Cap(max)  
Unit  
Input capacitance  
(A0 ~ A12, BA0 ~ BA1, CKE, CS, RAS,CAS, WE)  
CIN1  
1.5  
3.5  
0.5  
pF  
Input capacitance( CK, CK )  
Data & DQS input/output capacitance  
Input capacitance(DM)  
CIN2  
COUT  
CIN3  
1.5  
3.5  
3.5  
3.5  
5.5  
5.5  
0.25  
0.5  
pF  
pF  
pF  
Rev. 2.2 Mar. ’03  
- 20 -  
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