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K4E151611D 参数 Datasheet PDF下载

K4E151611D图片预览
型号: K4E151611D
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内容描述: 1米x 16Bit的CMOS动态随机存储器与扩充数据输出 [1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out]
分类和应用: 存储
文件页数/大小: 35 页 / 551 K
品牌: SAMSUNG [ SAMSUNG SEMICONDUCTOR ]
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K4E171611D, K4E151611D
K4E171612D, K4E151612D
UPPER BYTE READ CYCLE
NOTE : D
IN
= OPEN
CMOS DRAM
t
RC
t
RAS
RAS
V
IH
-
V
IL
-
t
RP
t
CSH
t
CRP
UCAS
V
IH
-
V
IL
-
t
RCD
t
RSH
t
CAS
t
CRP
t
CRP
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V
IH
-
V
IL
-
t
RPC
t
RAD
t
RAL
t
ASR
A
V
IH
-
V
IL
-
t
RAH
t
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t
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COLUMN
ADDRESS
ROW
ADDRESS
t
RCS
W
V
IH
-
V
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-
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OLZ
OE
V
IH
-
V
IL
-
DQ0 ~ DQ7
V
OH
-
V
OL
-
DQ8 ~ DQ15
V
OH
-
V
OL
-
OPEN
t
CAC
t
RAC
OPEN
t
CLZ
DATA-OUT
Don′t care
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