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    STU412S 参数 Datasheet PDF下载

    STU412S图片预览
    型号： STU412S
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 [N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管场效应晶体管
    文件页数/大小： 8 页 / 249 K
    品牌： SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
     浏览型号STU412S的Datasheet PDF文件第1页浏览型号STU412S的Datasheet PDF文件第2页浏览型号STU412S的Datasheet PDF文件第3页浏览型号STU412S的Datasheet PDF文件第5页浏览型号STU412S的Datasheet PDF文件第6页浏览型号STU412S的Datasheet PDF文件第7页浏览型号STU412S的Datasheet PDF文件第8页  
    STU/D412S
    版本1.0
    60
    50
    20. 0
    是，源极 - 漏极电流（ A）
    I
    D
    =
    11A
    75C
    125C
    30
    20
    10
    0
    25C
    10. 0
    R
    DS （ ON）
    (m
    Ω
    )
    40
    25C
    125C
    75C
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    1. 0
    0. 4
    0. 6
    0. 8
    1. 0
    1. 2
    1. 4
    V
    GS
    ，栅 - 源极电压（ V）
    V
    SD
    ，体二极管正向电压（ V）
    图7.导通电阻与
    栅源电压
    600
    图8.体二极管正向电压
    变化与源电流
    10
    V
    GS
    ，门源电压（ V）
    500
    C，电容（pF ）
    C
    国际空间站
    400
    300
    200
    ç SS
    o
    100
    C
    RSS
    0
    0
    5
    10
    15
    20
    25
    30
    8
    6
    4
    2
    0
    0
    V
    DS
    =20V
    I
    D
    =11A
    1
    2
    3
    4
    5
    6
    7
    8
    9
    V
    DS
    ，漏极至源极电压（ V）
    QG ，总栅极电荷（ NC）
    图9.电容
    图10.栅极电荷
    600
    300
    100
    切换时间（纳秒）
    100
    60
    （F ）的TD
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    Tr
    TD （上）
    Tf
    10
    R
    D
    O
    S
    (
    L
    N)
    im
    it
    1m
    DC
    10
    0u
    s
    10
    s
    ms
    10
    VD 20V ， I D 1A
    S=
    =
    VG 10V
    S=
    1
    1
    1
    6 10
    60 100
    300 600
    0.1
    V
    的s
    =10V
    S英格尔P ulse
    T
    A
    =25 C
    1
    10
    40
    100
    RG ，栅极电阻（
    Ω
    )
    V
    DS
    ，漏源电压（V ）
    图11.开关特性
    图12.最大安全工作区
    Aug,07,2008
    4
    www.samhop.com.tw

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