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型号: STU412S
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内容描述: N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 [N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 8 页 / 249 K
品牌: SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
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STU/D412S
S A mHop微电子Ç ORP 。
版本1.0
N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
产品概述
V
DSS
40V
特点
超级高密度电池设计低R
DS ( ON)
.
坚固可靠。
的TO- 252和TO- 251封装。
I
D
22A
R
DS ( ON)
(m
)最大
26
@
VGS=10V
40
@
VGS=4.5V
ESD保护。
D
D
G
S
G
D
G
S
STU系列
TO-252AA(D-PAK)
STD系列
TO-251(l-PAK)
S
绝对
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
P
D
T
J,
T
英镑
最大额定值(
T
C
=25
°
C除非另有说明
)
参数
漏源电压
栅源电压
T
A=
25 °C
a
漏电流连续
T
A=
70 °C
b
-Pulsed
雪崩能量
c
极限
40
±20
22
17.5
80
10
25
16
-55到150
单位
V
V
A
A
A
mJ
W
W
°C
最大功率耗散
a
T
A=
25 °C
T
A=
70 °C
工作结存储
温度范围
热特性
R
JC
R
JA
热阻,结到外壳
a
热阻,结到环境
a
5
50
° C / W
° C / W
Aug,07,2008
1
www.samhop.com.tw