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    STU412S 参数 Datasheet PDF下载

    STU412S图片预览
    型号： STU412S
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 [N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管场效应晶体管
    文件页数/大小： 8 页 / 249 K
    品牌： SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
     浏览型号STU412S的Datasheet PDF文件第1页浏览型号STU412S的Datasheet PDF文件第2页浏览型号STU412S的Datasheet PDF文件第4页浏览型号STU412S的Datasheet PDF文件第5页浏览型号STU412S的Datasheet PDF文件第6页浏览型号STU412S的Datasheet PDF文件第7页浏览型号STU412S的Datasheet PDF文件第8页  
    STU/D412S
    版本1.0
    30
    V =
    GS
    10V
    V = 5V
    GS
    4.
    20
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    24
    V =
    GS
    4V
    18
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    V =
    GS
    5V
    16
    12
    12
    V = 5V
    GS
    3.
    6
    8
    TJ ？
    125C
    4
    0
    -55C
    25C
    0
    0
    0. 5
    1
    1. 5
    2
    2. 5
    3
    0
    0. 7
    1. 4
    2. 1
    2. 8
    3. 5
    4. 2
    V
    DS
    ，漏极至源极电压（ V）
    V
    GS
    ，栅 - 源极电压（ V）
    图1.输出特性
    60
    50
    图2.传输特性
    2.0
    1.8
    1.6
    1.4
    1.2
    1.0
    0.0
    V
    的s
    =4.5V
    I
    D
    =9A
    V
    的s
    =10V
    I
    D
    =11A
    R
    DS （ ON）
    (m
    Ω
    )
    40
    V = 5V
    GS
    4.
    30
    20
    V =
    GS
    10V
    10
    1
    1
    R
    DS （ ON）
    ，导通电阻
    归
    6
    12
    18
    24
    30
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    T J （
    °C )
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    TJ ，结温（ ° C）
    图3.导通电阻与漏电流
    与栅极电压
    1.3
    图4.导通电阻变化与漏
    电流和温度
    BVDSS ，归
    漏源击穿电压
    1.15
    I
    D
    =
    250uA
    1.10
    1.05
    1.00
    0.95
    0.90
    0.85
    -50
    -25
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    Vth时，归一化
    门源阈值电压
    1.2
    1.1
    1.0
    0.9
    0.8
    0.7
    0.6
    -50
    -25
    0
    25
    50
    75
    V =
    GS
    DS
    V
    I
    D
    =
    250uA
    100
    125
    150
    TJ ，结温（ ° C）
    TJ ，结温（ ° C）
    图5.门阈值变化
    随温度
    3
    图6.击穿电压变化
    随温度
    Aug,07,2008
    www.samhop.com.tw

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