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STU309D 参数 Datasheet PDF下载

STU309D图片预览
型号: STU309D
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内容描述: 双ê nhancement模式F屈服Ë ffect晶体管( N和P沟道) [Dual E nhancement Mode F ield E ffect Transistor ( N and P Channel)]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 11 页 / 177 K
品牌: SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
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S T U309D
-V
的s
,G连吃向S环境允许的V oltage ( V)
1200
1000
10
8
6
4
2
0
V
DS
=-15V
I
D
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C为S
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800
600
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0
0
5
10
15
20
25
30
6
0
2
4
6
8
10
12
14 16
-V
DS
,汲极与S环境允许的电压(V )
QG ,T otal摹吃ç哈耶( NC)
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( 0:N
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100
60
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10
0
1 s
ms
10
R
D
ms
S
DC
1
1
V DS = 15V , ID = 1A
V G S = 10V
1
0.03
V
的s
=-10V
S英格尔P ulse
T C = 25°C
0.1
1
10
30
60
6 10
60 100 300 600
R G ,G吃ř ES是tance (
)
-V
DS
,排水-S环境允许的V oltage ( V)
˚F igure 12.s魔力characteris抽动
2
˚F igure 13和最大S AFE
操作摄像区
R(T ) ,归一化ê ffective
牛逼ransient牛逼有源冰箱阻抗
1
D=0.5
0.2
0.1
0.1
P
DM
0.05
0.02
0.01
S荷兰国际集团乐P ULS ê
0.01
10
-5
-4
-3
-2
-1
t
1
t
2
1.
2.
3.
4.
10
10
10
R
J A
(吨) = R (t)的R *
J A
R
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T
Ĵ M-
T
A
= P
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2
1
10
10
S单方波P ULS Ë时间(S EC)
˚F igure 14.归牛逼有源冰箱牛逼失败者ient阻抗Ç urve
9