S T U309D
B V
DS S
归一化
漏-S环境允许B reakdown V oltage
V th时,归一化
摹吃-S环境允许牛逼HRES持有V oltage
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
V
DS
=V
的s
I
D
=-250uA
1.15
I
D
=-250uA
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
6
T J ,J油膏牛逼emperature ( C)
T J ,J油膏牛逼emperature ( C)
˚F igure 5.摹吃牛逼HRES持有V ariation
以T emperature
120
˚F igure 6. B reakdown V oltage V ariation
以T emperature
20.0
I
D
=-6A
-is ,S环境允许的漏电流( A)
100
10.0
R
DS ( ON)
(m
Ω
)
80
125 C
60
40
25 C
20
0
75 C
25 C
75 C
125 C
1.0
0
2
4
6
8
10
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
-V
的s
,G ate- S环境允许的电压(V )
-V
S.D。
,B ODY二极管˚F orward V oltage ( V)
˚F igure 7.在-R es是tance VS 。
摹吃-S环境允许的V oltage
˚F igure 8. B ODY二极管˚F orward V oltage
V ariation带S环境允许光凭目前ç
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