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STU309D 参数 Datasheet PDF下载

STU309D图片预览
型号: STU309D
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内容描述: 双ê nhancement模式F屈服Ë ffect晶体管( N和P沟道) [Dual E nhancement Mode F ield E ffect Transistor ( N and P Channel)]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 11 页 / 177 K
品牌: SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
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S T U309D
900
V
的s
,G连吃向S环境允许的V oltage ( V)
10
8
6
4
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V
DS
=15V
I
D
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C为S
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600
450
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0
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5
10
15
20
25
30
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2
4
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8
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12
14 16
V
DS
,汲极与S环境允许的电压(V )
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10
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Tf
I
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,排水光凭目前Ç (A )
10
R
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1m
s
10
10
1
1
V DS = 15V , ID = 1A
V G S = 10V
1
0.5
0.1
V
的s
=10V
S英格尔P ulse
T C = 25°C
6 10
60 100 300 600
1
10
30
60
R G ,G吃ř ES是tance (
)
V
DS
,排水-S环境允许的V oltage ( V)
˚F igure 12.s魔力characteris抽动
˚F igure 13和最大S AFE
操作摄像区
2
R(T ) ,归一化ê ffective
牛逼ransient牛逼有源冰箱阻抗
1
D=0.5
0.2
0.1
0.1
P
DM
0.05
t
1
0.02
0.01
S荷兰国际集团乐P ULS ê
0.01
10
-5
-4
-3
-2
-1
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2
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4.
10
10
10
R
J A
(吨) = R (t)的R *
J A
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T
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T
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10
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6