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STS3621 参数 Datasheet PDF下载

STS3621图片预览
型号: STS3621
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内容描述: 双ê nhancement模式F屈服Ë ffect晶体管( N和P沟道) [Dual E nhancement Mode F ield E ffect Transistor ( N and P Channel)]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 11 页 / 195 K
品牌: SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
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S T S 3621
Ë LE CTR ICAL煤焦ACTE R是TICS (T
A
= 25°C除非另有说明)
参数
二极管的正向电压
符号
V
SD
条件
V
GS
= 0V ,是= 1.25A
V
GS
= 0V ,是= -1.25A
N沟道
P沟道
最小典型最大单位
0.81
-0.8
1. 2
-1.2
C
漏源二极管的特性
b
V
笔记
a.Surface安装在FR 4局,T < = 10秒。
b.Pulse试验:脉宽300US ,占空比2 % 。
设计c.Guaranteed ,不受生产测试。
N沟道
20
V
的s
=10V
16
V
的s
=5V
V
的s
=4.5V
20
25 C
16
V
的s
=4V
I
D
,排水光凭目前Ç (A )
12
V
的s
=3.5V
I
D
,排水光凭目前Ç (A )
-55 C
12
T J = 125℃
8
8
4
V
的s
=3V
0
0
4
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
0.9
1.8
2.7
3.6
4.5
5.4
V
DS
,漏到-S环境允许的电压(V )
V
的s
地下吃到-S环境允许的电压(V)
˚F igure 1输出C haracteris抽动
90
75
˚F igure 2.跨FER Ç haracteris抽动
1.5
R
DS ( ON)
,在-R es是tance
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
-25
V
的s
=10V
I
D
=3A
R
DS ( ON)
(m
)
60
45
V
的s
=4.5V
V
的s
=10V
30
15
1
V
的s
=4.5V
I
D
=2A
1
4
8
12
16
20
0
25
50
75
100
125 150
T J ( C)
I
D
,排水光凭目前Ç (A )
T J ,J油膏牛逼emperature ( C)
˚F igure 3.在-R es是tance VS 。排水光凭目前ç
和G吃了V oltage
4
˚F igure 4.在-R es是tance与变化
Ç排水光凭目前与温度