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STS3621图片预览
型号: STS3621
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内容描述: 双ê nhancement模式F屈服Ë ffect晶体管( N和P沟道) [Dual E nhancement Mode F ield E ffect Transistor ( N and P Channel)]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 11 页 / 195 K
品牌: SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
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S T S 3621
S amHop微电子Ç ORP 。
十月
24 2006
双ê nhancement模式域E ffect晶体管( N和P沟道)
P ř ODUC牛逼S UMMAR ÿ
( N-C hannel )
V
DS S
30V
P ř ODUC牛逼S UMMAR ÿ
(P - C hannel )
V
DS S
-30V
I
D
3A
R
DS ( ON) (M
)
最大
I
D
-2A
R
DS ( ON) (M
)
最大
50 @ V
的s
= 10V
65 @ V
的s
= 4.5V
D1
90 @ V
的s
= -10V
135 @ V
的s
= -4.5V
D2
S OT 26
顶视图
G1
S2
G2
1
2
3
6
5
4
D1
S1
D2
G1
S1
N沟道
G2
S2
P -CH
ABS OLUTE最大R ATINGS (T
A
= 25°C除非另有说明)
P ARAMETER
漏-S环境允许的电压
门-S环境允许的电压
漏光凭目前Ç -C ontinuous @助教
-P ulsed
b
a
S ymbol
V
DS
V
GS
25 C
70 C
I
DM
I
S
P
D
TA = 70℃
T
J
, T
s TG
I
D
N-C hannel P-C hannel
30
20
3
2.7
12
1.25
1.25
0.8
-55到150
-30
20
-2
1.8
-8
-1.25
单位
V
V
A
A
A
A
W
漏-S环境允许的二极管正向光凭目前ç
a
最大P奥尔耗散
工作结点和S torage
温度ř法兰
a
TA = 25℃
C
第r MAL Ç HAR AC TE R是TIC S
热ř esistance ,结到环境
a
R
JA
1
100
C / W