STS3621 参数 Datasheet PDF下载

型号：	STS3621
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内容描述：	双ê nhancement模式F屈服Ë ffect晶体管（ N和P沟道） [Dual E nhancement Mode F ield E ffect Transistor ( N and P Channel)]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	11 页 / 195 K
品牌：	SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]

S T S 3621

P沟道电气特性（ TA

25 C除非另有说明）

参数

关煤焦ACTE R是TICS

漏-S环境允许的击穿电压

零栅极电压漏极电流

门体漏

DS S

GS S

GS （ TH）

DS （ ON）

D（上）

S ymbol

条件

= 0V时，我

= -250uA

= -24V, V

= 0V

= 20V, V

= 0V

= V

, I

= -250uA

= -10V ，我

= -2A

= -4.5V ，我

=-1A

= -5V, V

= -10V

= -5V ，我

= - 3A

最小值典型值

最大单位

-30

-1

100 nA的

-1

-1.8

120

5.5

360

-3

M-欧姆

对煤焦ACTE R是TICS

栅极阈值电压

漏-S环境允许在-S大老ř esistance

在-S大老漏电流

正向跨导

135

M-欧姆

动态煤焦ACTE R是TICS

输入电容

输出电容

ř EVERSE传输电容

为s

OS s

RSS

=-15V, V

= 0V

F = 1.0MH

S迷惑煤焦ACTE R是TICS

导通延迟时间

ř ISE时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门-S环境允许充电

栅极 - 漏极电荷

D（上）

D（关闭）

= -15V,

= -1A,

GE ñ

= - 10V,

GE ñ

= 6欧姆

=-15V,I

=-2A,V

=-10V

=-15V,I

=-2A,V

=-4.5V

= -15V ，我

= -2A

=-10V

9.5

3.4

0.9

2.2

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