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STS2620图片预览
型号: STS2620
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内容描述: 双ê nhancement模式域E ffect晶体管( N和P沟道) [Dual E nhancement Mode Field E ffect Transistor (N and P Channel)]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 11 页 / 924 K
品牌: SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
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S T S 2620
N-C hannel
B V
DS S
归一化
漏-S环境允许B reakdown V oltage
V th时,归一化
摹吃-S环境允许牛逼HRES持有V oltage
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50 -25
0
25
50
75
100 125
1.3
I
D
=250uA
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
-50 -25
0
25
50
75 100 125
V
DS
=V
的s
I
D
=250uA
5
T J ,J油膏牛逼emperature ( C)
T J ,J油膏牛逼emperature ( C)
以T emperature
12
˚F igure 6. B reakdown V oltage V ariation
以T emperature
20
g
F小号
,T失败者电导( S)
8
6
4
2
0
0
3
6
9
V
DS
=5V
12
15
是,S环境允许的漏电流( A)
10
10
1
0
0.4
0.8
1.2
1.6
T
J
=25 C
2.0
2.4
I
DS
,排水-S环境允许光凭目前ç (A )
V
S.D。
,B ODY二极管˚F orward V oltage ( V)
˚F igure 7.牛逼失败者导V ariation
与排水光凭目前Ç
˚F igure 8. B ODY二极管˚F orward V oltage
V ariation带S环境允许光凭目前ç
5