S T S 2620
S amHop微电子Ç ORP 。
˚F EB , 25 2005年V er1.1
双ê nhancement模式域E ffect晶体管( N和P沟道)
P ř ODUC牛逼S UMMAR ÿ
( N-C hannel )
V
DS S
20V
P ř ODUC牛逼S UMMAR ÿ
(P - C hannel )
V
DS S
-20V
I
D
2.5A
R
DS ( ON) (M
W
)
最大
I
D
-2A
R
DS ( ON) (M
W
)
最大
80 @ V
的s
= 4.5V
110 @ V
的s
= 2.5V
D1
130 @ V
的s
= -4.5V
190 @ V
的s
= -2.5V
D2
TS OP 6
顶视图
G1
S1
G2
1
2
3
6
5
4
D1
S2
D2
G1
S1
N沟道
G2
S2
P -CH
ABS OLUTE最大R ATINGS (T
A
= 25°C除非另有说明)
P ARAMETER
漏-S环境允许的电压
门-S环境允许的电压
漏光凭目前Ç -C ontinuous
a
@ T = 25℃
b
-P ulsed
漏-S环境允许的二极管正向光凭目前ç
a
最大P奥尔耗散
a
工作结点和S torage
温度ř法兰
S ymbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
s TG
N-C hannel P-C hannel
20
10
2.5
8
1.25
1.0
-55到150
-20
10
-2
-7
-1.25
单位
V
V
A
A
A
W
C
第r MAL Ç HAR AC TE R是TIC S
热ř esistance ,结到环境
a
R
JA
125
C / W
1