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    STS2620 参数 Datasheet PDF下载

    STS2620图片预览
    型号： STS2620
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 双ê nhancement模式域E ffect晶体管（ N和P沟道） [Dual E nhancement Mode Field E ffect Transistor (N and P Channel)]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 11 页 / 924 K
    品牌： SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
     浏览型号STS2620的Datasheet PDF文件第1页浏览型号STS2620的Datasheet PDF文件第2页浏览型号STS2620的Datasheet PDF文件第3页浏览型号STS2620的Datasheet PDF文件第5页浏览型号STS2620的Datasheet PDF文件第6页浏览型号STS2620的Datasheet PDF文件第7页浏览型号STS2620的Datasheet PDF文件第8页浏览型号STS2620的Datasheet PDF文件第9页  
    S T S 2620
    电气特性（T
    A
    = 25°C除非另有说明）
    参数
    二极管的正向电压
    符号
    V
    SD
    条件
    V
    GS
    = 0V ，是= 1.25A
    V
    GS
    = 0V ，是= -1.25A
    N沟道
    P沟道
    最小典型最大单位
    0.84
    -0.85
    1.2
    -1.2
    C
    漏源二极管的特性
    b
    5
    V
    笔记
    a.Surface安装在FR4板，T
    ＜
    10sec.
    b.Pulse测试：脉冲宽度
    ＜
    300μS ，占空比
    ＜
    2%.
    设计c.Guaranteed ，不受生产测试。
    N沟道
    20
    V
    的s
    =10V
    16
    V
    的s
    =4V
    15
    25 C
    12
    -55 C
    V
    的s
    =4.5V
    I
    D
    ，排水光凭目前Ç （A ）
    I
    D
    ，排水光凭目前Ç （A ）
    V
    的s
    =3V
    12
    T J = 125℃
    9
    6
    8
    V
    的s
    =2V
    4
    0
    3
    0
    0.0
    0
    0.5
    1
    1.5
    2
    2.5
    3
    0.6
    1.2
    1.8
    2.4
    3.0
    3.6
    V
    DS
    ，漏到-S环境允许的电压（V ）
    V
    的s
    地下吃到-S环境允许的电压（V）
    ˚F igure 1输出C haracteris抽动
    2.2
    500
    400
    300
    200
    100
    Ç RS s
    0
    0
    5
    10
    15
    20
    25
    30
    0
    C为S
    ˚F igure 2.跨FER Ç haracteris抽动
    V
    的s
    =4.5V
    I
    D
    =2.5A
    R
    DS （ ON）
    ，在-R es是tance
    归
    1.8
    1.4
    1.0
    0.6
    0.2
    C，C apacitance （PF ）
    Ç OS s
    -50
    -25
    0
    25
    50
    75
    100 125
    T J （ C）
    V
    DS
    ，汲极与S环境允许的电压（V ）
    ˚F igure 3. Ç apacitance
    ˚F igure 4.在-R es是tance与变化
    温度
    4

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