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    STM8300 参数 Datasheet PDF下载

    STM8300图片预览
    型号： STM8300
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    内容描述： 双增强模式场效应晶体管（ N和P沟道） [Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor ( N and P Channel )]
    分类和应用： 晶体晶体管场效应晶体管
    文件页数/大小： 11 页 / 254 K
    品牌： SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
     浏览型号STM8300的Datasheet PDF文件第3页浏览型号STM8300的Datasheet PDF文件第4页浏览型号STM8300的Datasheet PDF文件第5页浏览型号STM8300的Datasheet PDF文件第6页浏览型号STM8300的Datasheet PDF文件第7页浏览型号STM8300的Datasheet PDF文件第9页浏览型号STM8300的Datasheet PDF文件第10页浏览型号STM8300的Datasheet PDF文件第11页  
    STM8300
    版本1.0
    120
    100
    80
    125
    C
    60
    75 C
    40
    20
    0
    25 C
    20.0
    -is ，源极 - 漏极电流（ A）
    I
    D
    = - 4 . 7 A
    10.0
    R
    DS （ ON）
    (m
    Ω
    )
    125 C
    25 C
    75 C
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    1.0
    0
    0.3
    0.6
    0.9
    1.2
    1.5
    -V
    GS
    ，栅 - 源极电压（ V）
    -V
    SD
    ，体二极管正向电压（ V）
    图7.导通电阻与
    栅源电压
    图8.体二极管正向电压
    变化与源电流
    900
    10
    -V
    GS
    ，门源电压（ V）
    750
    C，电容（pF ）
    8
    6
    4
    2
    0
    0
    V
    DS
    = - 1 5 V
    I
    D
    = - 4 . 7 A
    600
    450
    300
    科斯
    150
    CRSS
    0
    0
    5
    10
    西塞
    15
    20
    25
    30
    2
    4
    6
    8
    10
    12
    14
    16
    V
    DS
    ，漏极至源极电压（ V）
    QG ，总栅极电荷（ NC）
    图9.电容
    图10.栅极电荷
    250
    -I
    D
    ，漏电流（ A）
    70
    it
    10
    0u
    s
    切换时间（纳秒）
    100
    60
    10
    吨D（关闭）
    10
    R
    DS
    Tr
    Tf
    (
    )
    ON
    升IM
    吨D（上）
    1
    V
    的s
    =10V
    S英格尔P ulse
    T
    A
    =25 C
    1
    DC
    10
    1 0
    ms
    0m
    s
    1m
    s
    1
    1
    V·D S = -15V ， I D = -1A
    V G S =
    -10
    V
    0.1
    6 10
    60 100 300 600
    0.1
    10
    30
    50
    RG ，栅极电阻（
    Ω
    )
    -V
    DS
    ，漏源电压（V ）
    图11.开关特性
    图12.最大安全工作区
    Jul,31,2008
    8
    www.samhop.com.tw

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