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    STM8300 参数 Datasheet PDF下载

    STM8300图片预览
    型号： STM8300
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    内容描述： 双增强模式场效应晶体管（ N和P沟道） [Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor ( N and P Channel )]
    分类和应用： 晶体晶体管场效应晶体管
    文件页数/大小： 11 页 / 254 K
    品牌： SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
     浏览型号STM8300的Datasheet PDF文件第1页浏览型号STM8300的Datasheet PDF文件第2页浏览型号STM8300的Datasheet PDF文件第3页浏览型号STM8300的Datasheet PDF文件第5页浏览型号STM8300的Datasheet PDF文件第6页浏览型号STM8300的Datasheet PDF文件第7页浏览型号STM8300的Datasheet PDF文件第8页浏览型号STM8300的Datasheet PDF文件第9页  
    STM8300
    版本1.0
    N沟道
    25
    V
    的s
    =10V
    V
    的s
    =4.5V
    V
    的s
    =4V
    15
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    15
    V
    的s
    =3.5V
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    20
    12
    9
    25 C
    6
    T J = 125℃
    3
    -55 C
    0
    0.0
    10
    V
    的s
    =3V
    V
    的s
    =2.5V
    5
    0
    0
    0.5
    1
    1.5
    2
    2.5
    3
    0.7
    1.4
    2.1
    2.8
    3.5
    4.2
    V
    DS
    ，漏极至源极电压（ V）
    V
    GS
    ，栅 - 源极电压（ V）
    图1.输出特性
    78
    65
    V
    的s
    =4.5V
    图2.传输特性
    2.0
    1.8
    1.6
    1.4
    1.2
    1.0
    0.8
    V
    GS
    =10V
    I
    D
    =5.3A
    V
    GS
    =4.5V
    I
    D
    =4.5A
    R
    DS （ ON）
    (m
    Ω
    )
    52
    39
    V
    的s
    =10V
    26
    13
    0
    1
    5
    10
    15
    20
    25
    R
    DS （ ON）
    ，导通电阻
    归
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    T J （
    °C )
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    TJ ，结温（ ° C）
    图3.导通电阻与漏电流
    与栅极电压
    1.6
    图4.导通电阻变化与漏
    电流和温度
    BVDSS ，归
    漏源击穿电压
    1.15
    1.10
    1.05
    1.00
    0.95
    0.90
    0.85
    -50 -25
    0
    25
    50
    75 100 125 150
    I
    D
    =250uA
    Vth时，归一化
    门源阈值电压
    1.4
    1.2
    1.0
    0.8
    0.6
    V
    DS
    =V
    的s
    I
    D
    =250uA
    0.4
    -55 -25
    0
    25
    50
    75
    100 125 150
    TJ ，结温（ ° C）
    TJ ，结温（ ° C）
    图5.门阈值变化
    随温度
    4
    图6.击穿电压变化
    随温度
    Jul,31,2008
    www.samhop.com.tw

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