STM8300
版本1.0
P沟道电气特性
(
T
A
=25
°
C除非另有说明
)
符号
参数
条件
V
GS
= 0V时，我
D
=-250uA
V
DS
=-24V , V
GS
=0V
民
典型值
最大
单位
V
开关特性
漏源击穿电压
BV
DSS
零栅极电压漏极电流
I
DSS
门体漏电流
I
GSS
基本特征
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
漏源导通电阻
正向跨导
c
-30
-1
±100
uA
nA
V
GS
= ±20V , V
DS
=0V
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
GS
= -10V ，我
D
=-4.7A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-3.7A
V
DS
= -5V ，我
D
=-4.7A
-1.0
-1.8
46
68
7.5
-3.0
56
90
V
兆欧
兆欧
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
c
V
DS
=-15V,V
GS
=0V
f=1.0MHz
520
125
78
7.5
12.4
62
37
10.3
5.2
1.1
2.8
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
开关特性
t
D（上）
导通延迟时间
tr
上升时间
t
D（关闭）
打开-O FF延迟时间
tf
下降时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
=-15V
I
D
=-1A
V
GS
=-10V
R
根
= 6欧姆
V
DS
=-15V,I
D
=-4.7A,V
GS
=-10V
V
DS
=-15V,I
D
=-4.7A,V
GS
=-4.5V
V
DS
=-15V,I
D
=-4.7A,
V
GS
=-10V
漏源二极管的特性
最大连续漏源二极管的正向电流
I
S
V
SD
二极管的正向电压
b
V
GS
=0V,I
S
=-1A
-0.77
-1
-1.2
A
V
笔记
_
a.Surface安装在FR4板，T < 10秒。
_
_
b.Pulse测试：脉冲宽度< 300US ，占空比< 2 ％ 。
设计c.Guaranteed ，不受生产测试。
Jul,31,2008
3
www.samhop.com.tw
SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
