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STM6960 参数 Datasheet PDF下载

STM6960图片预览
型号: STM6960
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内容描述: 双N沟道增强型场效应晶体管 [Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 526 K
品牌: SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
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S T M6960
V
的s
,G连吃向S环境允许的V oltage ( V)
1200
1000
10
8
6
4
2
0
V
DS
=48V
I
D
=4.5A
C,C apacitance (PF )
800
600
400
200
0
0
Ç RS s
5
10
15
C为S
6
Ç OS s
20
25
30
0
2
4
6
8
10
12
14 16
V
DS
,汲极与S环境允许的电压(V )
QG ,T otal摹吃ç哈耶( NC)
˚F igure 9 Ç apacitance
600
S魔力牛逼IME ( NS )
I
D
,排水光凭目前Ç (A )
˚F igure 10摹吃Ç哈耶
50
30
10
R
D
(O
L
N)
im
it
10
ms
100
60
10
S
Tr
Tf
10
1s
DC
0m
s
1
1
1
V DS = 30V , ID = 4.5A
V G S = 10 V
0.1
0.03
V
的s
=10V
S英格尔P ulse
T
A
=25 C
0.1
1
10
60
6 10
60 100 300 600
R G ,G吃ř ES是tance (
W
)
V
DS
,排水-S环境允许的V oltage ( V)
˚F igure 11.s魔力characteris抽动
9
˚F igure 12和最大S AFE
操作摄像区
归一化瞬时
热阻
1
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
on
P
DM
t
1
1.
2.
3.
4.
t
2
0.01
0.00001
0.0001
单脉冲
0.001
0.01
0.1
1
10
R
THJ一
(吨) = R (t)的R *
THJ一
R
THJ一
= S EE资料中HEET
T
Ĵ M-
T
A
= P
DM
* R
THJ一
(t)
值班Ç ycle ,D = T
1
/t
2
100
1000
方波脉冲持续时间(秒)
归瞬态热阻抗曲线
5