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    STM6960 参数 Datasheet PDF下载

    STM6960图片预览
    型号： STM6960
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    内容描述： 双N沟道增强型场效应晶体管 [Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管场效应晶体管
    文件页数/大小： 7 页 / 526 K
    品牌： SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
     浏览型号STM6960的Datasheet PDF文件第2页浏览型号STM6960的Datasheet PDF文件第3页浏览型号STM6960的Datasheet PDF文件第4页浏览型号STM6960的Datasheet PDF文件第5页浏览型号STM6960的Datasheet PDF文件第6页浏览型号STM6960的Datasheet PDF文件第7页  
    STM6960
    SAMHOP微电子股份有限公司
    2007年11月12日了Ver.1.1
    双N沟道增强型场效应晶体管
    产品概述
    V
    DSS
    60V
    特点
    ( m
    W
    ）最大
    I
    D
    5A
    R
    DS （ ON）
    超级高密度电池设计低R
    DS （上
    ).
    60 @ V
    GS
    = 10V
    75 @ V
    GS
    = 4.5V
    坚固可靠。
    表面贴装封装。
    D
    1
    8
    D
    1
    7
    D
    2
    6
    D
    2
    5
    SO-8
    1
    1
    2
    3
    4
    S
    1
    G
    1
    S
    2
    G
    2
    绝对最大额定值（T
    A
    = 25°C除非另有说明）
    参数
    漏源电压
    栅源电压
    漏电流连续@Ta
    -Pulsed
    b
    a
    符号
    V
    DS
    V
    GS
    25 C
    70 C
    I
    D
    I
    DM
    I
    S
    TA = 25℃
    TA = 70℃
    P
    D
    T
    J
    , T
    英镑
    极限
    60
    20
    5
    4.3
    25
    1.7
    2
    1.44
    -55到150
    单位
    V
    V
    A
    A
    A
    A
    W
    C
    漏源二极管的正向电流
    a
    最大功率耗散
    工作结存储
    温度范围
    a
    热特性
    热阻，结到环境
    a
    1
    R
    JA
    62.5
    C / W

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