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STM6960 参数 Datasheet PDF下载

STM6960图片预览
型号: STM6960
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内容描述: 双N沟道增强型场效应晶体管 [Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 526 K
品牌: SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
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STM6960
电气特性(T
A
25 C除非另有说明)
参数
5
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
I
D(上)
g
FS
c
条件
V
GS
0V ,我
D
250uA
V
DS
V
GS
48V, V
GS
0V
20V, V
DS
0V
最小值典型值
C
最大单位
60
1
100
1.0
1.8
47
55
20
12
700
80
50
5
13
10
28
7
15
7.5
1.6
4.3
3.0
60
75
V
uA
nA
V
兆欧
兆欧
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
基本特征
b
栅极阈值电压
漏源导通电阻
通态漏电流
正向跨导
V
DS
V
GS
, I
D
= 250uA
V
GS
10V ,我
D
4.5A
V
GS
4.5V ,我
D
3A
V
DS
= 5V, V
GS
= 10V
V
DS
5V ,我
D
4.5A
A
S
P
F
P
F
P
F
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Rg
c
V
DS
=25V, V
GS
= 0V
F = 1.0MH
Z
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1.0MH
Z
欧姆
开关特性
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
t
D(上)
t
t
D(关闭)
t
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DD
= 30V
I
D
= 4.5 A
V
GS
= 10V
R
= 3欧姆
V
DS
= 48V ,我
D
=4.5A,V
GS
=10V
V
DS
= 48V ,我
D
=4.5A,V
GS
=4.5V
V
DS
= 48V ,我
D
= 4.5 A
V
GS
=10V
2
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC