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STM4635 参数 Datasheet PDF下载

STM4635图片预览
型号: STM4635
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内容描述: P沟道增强型场效应晶体管 [P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 160 K
品牌: SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
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STM4635
版本1.0
90
20.0
I
D
=-7A
15.0
-is ,源极 - 漏极电流( A)
75
60
10.0
5.0
25 C
125 C
R
DS ( ON)
(m
)
125 C
45
30
15
0
75 C
25 C
75 C
0
2
4
6
8
10
1.0
0
0.24
0.48
0.72
0.96
1.2
-V
GS
,栅源电压(V )
-V
SD
,体二极管正向电压( V)
图7.导通电阻与
栅源电压
图8.体二极管正向电压
变化与源电流
10
-V
GS
,门源电压( V)
1500
1250
C,电容(pF )
C为S
1000
750
500
Ç OS s
250
Ç RS s
0
8
6
4
2
0
V
DS
=-20V
I
D
=-7 A
0
5
10
15
20
25
30
0
3
6
9
12
15
18
21 24
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
QG ,总栅极电荷( NC)
图9.电容
图10.栅极电荷
1000
100
L
N)
im
it
10
10
0m
10
0m
切换时间(纳秒)
- I
D
,漏电流( A)
100
60
10
吨D(关闭)
Tf
10
R
DS
(O
1m
ms
s
s
Tr
吨D(上)
1s
s
1
V
的s
=-10V
S英格尔P ulse
T
A
=25 C
1
DC
1
1
VDS=-20V,ID=-1A
VGS=-10V
0.1
0.1
6 10
60 100 300 600
10
40
100
RG ,栅极电阻(
)
-V
DS
,漏源电压(V )
图11.switching特点
图12.最大安全
工作区
Aug,15,2008
4
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