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    STM4635 参数 Datasheet PDF下载

    STM4635图片预览
    型号： STM4635
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： P沟道增强型场效应晶体管 [P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管场效应晶体管
    文件页数/大小： 7 页 / 160 K
    品牌： SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
     浏览型号STM4635的Datasheet PDF文件第1页浏览型号STM4635的Datasheet PDF文件第2页浏览型号STM4635的Datasheet PDF文件第4页浏览型号STM4635的Datasheet PDF文件第5页浏览型号STM4635的Datasheet PDF文件第6页浏览型号STM4635的Datasheet PDF文件第7页  
    STM4635
    版本1.0
    30
    V
    的s
    =-10V
    24
    V
    的s
    =-4V
    V
    的s
    =-4.5V
    12
    15
    - I
    D
    ，漏电流（ A）
    -I
    D
    ，漏电流（ A）
    V
    的s
    =-3.5V
    18
    V
    的s
    =-3V
    9
    TJ = 125℃
    6
    25 C
    3
    0
    12
    6
    0
    V
    的s
    =-2.5V
    0
    0.5
    1
    1.5
    2
    2.5
    3
    0
    0.6
    1.2
    1.8
    2.4
    3.0
    3.6
    -V
    DS
    ，漏极至源极电压（ V）
    -V
    的s
    地下吃到-S环境允许的电压（V）
    图1.输出特性
    60
    1.8
    图2.传输特性
    R
    DS （ ON）
    ，导通电阻
    归
    50
    V
    的s
    =-4.5V
    1.6
    V
    的s
    =-10V
    I
    D
    =-7A
    R
    DS （ ON）
    (m
    Ω
    )
    40
    30
    20
    10
    0
    V
    的s
    =-10V
    1.4
    1.2
    V
    的s
    =-4.5V
    I
    D
    =-5.7A
    1.0
    0.8
    1
    6
    12
    18
    24
    30
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    TJ （ C）
    -I
    D
    ，漏电流（ A）
    TJ ，结温（ C）
    图3.导通电阻与漏电流
    与栅极电压
    BV
    DSS
    归一化
    漏源击穿电压
    1.6
    1.4
    1.2
    1.0
    0.8
    0.6
    0.4
    0.2
    -50 -25
    0
    25
    50
    75
    100 125 150
    V
    DS
    =V
    的s
    I
    D
    =-250uA
    图4.导通电阻变化与
    漏电流和温度
    1.15
    1.10
    1.05
    1.00
    0.95
    0.90
    0.85
    -50
    -25
    0
    25
    50
    75
    100 125 150
    I
    D
    =-250uA
    Vth时，归一化
    门源阈值电压
    TJ ，结温（ C）
    TJ ，结温（ C）
    图5.门阈值变化
    随温度
    图6.击穿电压变化
    随温度
    Aug,15,2008
    3
    www.samhop.com.tw

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