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STM4635 参数 Datasheet PDF下载

STM4635图片预览
型号: STM4635
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内容描述: P沟道增强型场效应晶体管 [P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 160 K
品牌: SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
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STM4635
版本1.0
电气特性
(
T
A
=25
°
C除非另有说明
)
4
符号
参数
条件
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
V
GS
= 0V时,我
D
=-250uA
V
DS
= -32V , V
GS
=0V
-40
-1
±10
V
uA
nA
V
GS
= ±20V , V
DS
=0V
基本特征
V
GS ( TH)
栅极阈值电压
R
DS ( ON)
g
FS
漏源导通电阻
正向跨导
c
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
GS
= -10V ,我
D
=-7A
V
GS
= -4.5V ,我
D
=-5.7A
V
DS
= -20V ,我
D
=-7A
-1.0
-1.6
27
38
9.5
935
192
105
-3.0
33
50
V
兆欧
兆欧
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
动态特性
输入电容
C
国际空间站
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
开关特性
t
D(上)
导通延迟时间
tr
上升时间
t
D(关闭)
打开-O FF延迟时间
tf
下降时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
c
V
DS
=-20V,V
GS
=0V
f=1.0MHz
V
DD
=-20V
I
D
=-1A
V
GS
=-10V
R
= 6欧姆
V
DS
=-20V,I
D
=-7A,V
GS
=-10V
V
DS
=-20V,I
D
=-7A,V
GS
=-4.5V
V
DS
=-20V,I
D
=-7A,
V
GS
=-20V
7
16
99
18
17
8
1.4
4.6
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
最大连续漏源二极管的正向电流
二极管的正向电压
b
V
GS
=0V,I
S
=-1.7A
V
SD
-1.7
-0.75
-1.2
A
V
笔记
_
a.Surface安装在FR4板,T <10sec 。
_
_
b.Pulse测试:脉冲Width<300us ,职务Cycle< 2 % 。
设计c.Guaranteed ,不受生产测试。
d.Starting牛逼
J
=25
°
C,L=1.25mH,R
G
=25
,V
DD
=20V,V
GS
=10V.(See
Figure13)
Aug,15,2008
2
www.samhop.com.tw