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STM4470E 参数 Datasheet PDF下载

STM4470E图片预览
型号: STM4470E
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内容描述: N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 120 K
品牌: SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
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STM4470E
2400
10
V
GS
,门源电压( V)
2000
8
6
4
2
0
V
DS
=15V
I
D
=10A
C,C apacitance (PF )
1600
1200
800
400
CRSS
0
0
5
10
西塞
6
科斯
15
20
25
30
0
4
8
12
16
20
24
28
32
V
DS
,漏极至源极电压( V)
QG ,总栅极电荷( NC)
图9.电容
600
TD (关闭)
Tr
TD (上)
图10.栅极电荷
50
10
I
D
,漏电流( A)
(O
N)
LIM
it
切换时间(纳秒)
100
60
10
10
R
D
S
Tf
10
ms
0m
s
1
DC
1s
1
1
V DS = 15V , ID = 1A
V G S = 10V
0.1
0.03
V
GS
=10V
单脉冲
T
A
=25 C
0.1
1
10
30 50
6 10
60 100 300 600
RG ,栅极电阻(
)
V
DS
,漏源电压(V )
图11.switching特点
9
图12.最大安全
工作区
归一化瞬时
热阻
1
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
on
P
DM
t
1
t
2
1. R
thJA
(吨) = R (t)的R *
JAth
2. R
th
=请查阅技术资料
JA
(t)
3. T
JM-
T
A
= P
DM
* R
JA日
4.占空比D = T
1
/t
2
0.01
0.00001
0.0001
单脉冲
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
方波脉冲持续时间(秒)
归瞬态热阻抗曲线
5