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    STM4470E 参数 Datasheet PDF下载

    STM4470E图片预览
    型号： STM4470E
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 7 页 / 120 K
    品牌： SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
     浏览型号STM4470E的Datasheet PDF文件第2页浏览型号STM4470E的Datasheet PDF文件第3页浏览型号STM4470E的Datasheet PDF文件第4页浏览型号STM4470E的Datasheet PDF文件第5页浏览型号STM4470E的Datasheet PDF文件第6页浏览型号STM4470E的Datasheet PDF文件第7页  
    STM4470E
    SAMHOP微电子股份有限公司
    五月。 15 2007 VER1.0
    N沟道增强型网络场效晶体管
    产品概述
    V
    DSS
    40V
    ˚F ê乌尔（E S）
    S UPER高密度电池设计低R
    DS （ON
    ).
    I
    D
    9.5A
    R
    DS （ ON） （M
    ı
    Ω
    ）最大
    12 @ V
    GS
    = 10V
    15 @ V
    GS
    = 4.5V
    - [R ugged可靠。
    S urface山P ackage 。
    （E S） ð P rotected 。
    SO-8
    1
    绝对最大额定值（T
    A
    = 25°C除非另有说明）
    参数
    漏源电压
    栅源电压
    漏电流连续
    a
    @T
    J
    =25 C
    b
    -Pulsed
    漏源二极管的正向电流
    a
    最大功率耗散
    a
    工作结存储
    温度范围
    符号
    V
    DS
    V
    GS
    I
    D
    I
    DM
    I
    S
    P
    D
    T
    J
    , T
    英镑
    极限
    40
    20
    9.5
    39
    1.7
    2.5
    -55到150
    单位
    V
    V
    A
    A
    A
    W
    C
    热特性
    热阻，结到环境
    a
    R
    JA
    1
    50
    C / W

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