欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

STM4470E 参数 Datasheet PDF下载

STM4470E图片预览
型号: STM4470E
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 120 K
品牌: SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
 浏览型号STM4470E的Datasheet PDF文件第1页浏览型号STM4470E的Datasheet PDF文件第2页浏览型号STM4470E的Datasheet PDF文件第4页浏览型号STM4470E的Datasheet PDF文件第5页浏览型号STM4470E的Datasheet PDF文件第6页浏览型号STM4470E的Datasheet PDF文件第7页  
STM4470E
电气特性(T
A
= 25°C除非另有说明)
参数
二极管的正向电压
符号
V
SD
条件
V
GS
= 0V ,是= 1.7A
最小值典型值
C
最大单位
0.73
1.2
V
漏源二极管的特性
b
笔记
A.Ş urface安装在FR 4局,T 10秒。
b.Pulse试验:脉宽300US ,占空比2 % 。
设计c.Guaranteed ,不受生产测试。
60
50
V
的s
=3.5 V
V
的s
=4V
40
V
的s
=10V
20
16
I
D
,排水光凭目前Ç (A )
I
D
,排水光凭目前Ç (A )
T J = 125℃
12
30
20
10
0
V
的s
=3V
8
-55 C
4
25 C
V
的s
=2.5V
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
0.7
1.4
2.1
2.8
3.5
4.2
V
DS
,漏极至源极电压( V)
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
图1.输出特性
24
1.75
图2.传输特性
R
DS ( ON)
,导通电阻
20
1.60
1.45
1.30
1.15
1.0
0
V
GS
=10V
I
D
=10A
R
DS ( ON)
(m
ı
)
16
V
GS
=4.5V
12
8
4
1
1
V
GS
=4.5V
I
D
=6A
V
GS
=10V
10
20
30
40
50
60
0
25
50
75
100
125
150
TJ ( C)
I
D
,漏电流( A)
TJ ,结温( C)
图3.导通电阻与漏电流
与栅极电压
3
图4.导通电阻变化与
漏电流和温度