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SDM8958 参数 Datasheet PDF下载

SDM8958图片预览
型号: SDM8958
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内容描述: 双ê nhancement模式域E ffect晶体管( N和P沟道) [Dual E nhancement Mode Field E ffect Transistor ( N and P Channel)]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 9 页 / 601 K
品牌: SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
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S DM8958
N-C hannel
B V
DS S
归一化
漏-S环境允许B reakdown V oltage
V th时,归一化
摹吃-S环境允许牛逼HRES持有V oltage
1.09
1.06
1.03
1.00
0.97
0.94
0.91
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
V
DS
=V
的s
I
D
=250
uA
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
ID=-250
uA
T J ,J油膏牛逼emperature ( C)
T J ,J油膏牛逼emperature ( C)
˚F igure 5.摹吃牛逼HRES持有V ariation
以T emperature
25
˚F igure 6. B reakdown V oltage V ariation
以T emperature
40.0
g
F小号
,T失败者电导( S)
是,S环境允许的漏电流( A)
20
20
15
10
5
0
0
5
10
V
DS
=15V
15
10.0
1.0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I
DS
,排水-S环境允许光凭目前ç (A )
V
S.D。
,B ODY二极管˚F orward V oltage ( V)
与排水光凭目前Ç
˚F igure 8. B ODY二极管˚F orward V oltage
V ariation带S环境允许光凭目前ç
5