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SDM8958 参数 Datasheet PDF下载

SDM8958图片预览
型号: SDM8958
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内容描述: 双ê nhancement模式域E ffect晶体管( N和P沟道) [Dual E nhancement Mode Field E ffect Transistor ( N and P Channel)]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 9 页 / 601 K
品牌: SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
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S DM8958
Ë LE CTR ICAL煤焦ACTE R是TICS (T
A
= 25°C除非另有说明)
参数
二极管的正向电压
S ymbol
V
SD
条件
V
的s
= 0V ,是= 1.7A N-二建华
V
的s
= 0V ,是= -1.7A P -C 2 H
最小典型最大单位
0.77 1.2
-0.82 -1.2
C
DR AIN -S我们CE二极管煤焦ACTE R是TICS
b
V
笔记
A.Ş urface安装在FR 4局,T
10sec.
b.Pulse测试:脉冲宽度
300US ,占空比
2%.
设计c.Guaranteed ,不受生产测试。
N-C hannel
25
V
的s
=10,9,8,7,6,5,4V
20
20
25
I
D
,排水光凭目前Ç (A )
15
I
D
,排水光凭目前Ç (A )
25 C
15
10
V
的s
=3V
5
10
T J = 125℃
5
-55 C
0
0.0
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
V
DS
,漏到-S环境允许的电压(V )
V
的s
地下吃到-S环境允许的电压(V)
˚F igure 1输出C haracteris抽动
R
DS ( ON)
,在-R es是tance (欧姆)
1200
1000
0.030
˚F igure 2.跨FER Ç haracteris抽动
V
的s
=10V
0.025
0.020
T J = 125℃
0.015
25 C
0.010
0.005
0
-55 C
C,C apacitance (PF )
800
600
400
Ç OS s
200
Ç RS s
0
0
5
10
15
20
25
30
C为S
0
5
10
15
20
V
DS
,汲极与S环境允许的电压(V )
I
D
,排水光凭目前Ç (A )
˚F igure 3. Ç apacitance
˚F igure 4.在-R es是tance与变化
Ç排水光凭目前与温度
4