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    SDM8958 参数 Datasheet PDF下载

    SDM8958图片预览
    型号： SDM8958
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 双ê nhancement模式域E ffect晶体管（ N和P沟道） [Dual E nhancement Mode Field E ffect Transistor ( N and P Channel)]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 9 页 / 601 K
    品牌： SAMHOP [ SAMHOP MICROELECTRONICS CORP. ]
     浏览型号SDM8958的Datasheet PDF文件第1页浏览型号SDM8958的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SDM8958的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SDM8958的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SDM8958的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SDM8958的Datasheet PDF文件第7页浏览型号SDM8958的Datasheet PDF文件第8页浏览型号SDM8958的Datasheet PDF文件第9页  
    S DM8958
    N沟道é乐CTR ICAL煤焦ACTE R是TICS （T
    A
    = 25°C除非另有说明）
    参数
    关煤焦ACTE R是TICS
    漏-S环境允许的击穿电压
    零栅极电压漏极电流
    门体漏
    BV
    DS S
    I
    DS S
    I
    GS S
    V
    GS （ TH）
    R
    DS （ ON）
    I
    D（上）
    g
    FS
    C
    为s
    C
    OS s
    C
    RSS
    c
    S ymbol
    条件
    V
    GS
    = 0V时，我
    D
    = 250uA
    V
    DS
    = 24V, V
    GS
    = 0V
    V
    GS
    = 20V, V
    DS
    =0V
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 250uA
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    = 6.0A
    V
    GS
    = 4.5V ，我
    D
    = 5.0A
    V
    DS
    = 5V, V
    GS
    = 10V
    V
    DS
    = 5V ，我
    D
    = 6.0A
    最小值典型值
    C
    最大单位
    30
    1
    100
    V
    uA
    nA
    V
    兆欧
    兆欧
    对煤焦ACTE R是TICS
    b
    栅极阈值电压
    漏-S环境允许在-S大老ř esistance
    在-S大老漏电流
    正向跨导
    1
    1.8
    3
    32
    50
    30
    16
    510
    235
    56
    V
    DD
    = 15V,
    I
    D
    = 1A,
    V
    GE ñ
    = 10V,
    R
    L
    = 15
    W
    R
    GE ñ
    = 10
    W
    V
    DS
    = 15V ，我
    D
    = 1A ，V
    GS
    =10V
    V
    DS
    = 15V ，我
    D
    = 1A ，V
    GS
    =4.5V
    Q
    gs
    Q
    gd
    V
    DS
    = 15V ，我
    D
    = 1A,
    V
    GS
    =10V
    2
    A
    S
    P
    F
    P
    F
    P
    F
    动态煤焦ACTE R是TICS
    c
    输入电容
    输出电容
    ř EVERSE传输电容
    V
    DS
    =15V, V
    GS
    = 0V
    F = 1.0MH
    Z
    S迷惑煤焦ACTE R是TICS
    导通延迟时间
    ř ISE时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    总栅极电荷
    门-S环境允许充电
    栅极 - 漏极电荷
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    Q
    g
    21
    20
    27
    115
    13
    6
    2.1
    2
    40
    40
    55
    230
    20
    10
    ns
    ns
    ns
    ns
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